人工晶体学报

作者：陈一宏, 周晓庆, 徐文静, 于悦, 赵意茹, 杨珍妮, 董鑫, 贾志泰, 陈端阳, 齐红基, 张洪良

单位：1.厦门大学化学化工学院，表界面化学全国重点实验室，厦门 361005；2.杭州光学精密机械研究所，杭州 311421；3.厦门大学物理科学与技术学院，厦门 361005；4.吉林大学电子科学与工程学院，集成光电子学全国重点实验室，长春 130012；5.山东大学晶体材料全国重点实验室，济南 250100；6.中国科学院上海光学精密机械研究所先进激光与光电功能材料部，上海 201800；7.上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室，上海 201306

关键词：氧化镓,外延生长,掺杂调控,厚膜生长,缺陷控制,p型掺杂,异质外延,

基金：国家重点研发计划(2022YFB3605501);国家自然科学基金(22275154)

氧化镓作为典型的超宽禁带半导体材料，在高功率电子器件领域展现出重要应用前景，而外延薄膜中的掺杂调控与缺陷控制是制约其器件性能提升的关键科学与技术问题。本文聚焦β相氧化镓外延薄膜，对不同外延方式的基本原理及技术特点进行了系统性综述，并围绕不同外延生长技术中背景载流子抑制、n型掺杂精确控制、厚膜生长与缺陷演化机制等核心问题，系统总结和评述了近几年的代表性研究进展。同时从物理机理角度分析了氧化镓p型掺杂长期受限的内在原因，并归纳了不同晶型氧化镓异质外延的最新探索。最后，结合现有技术瓶颈，对氧化镓大尺寸生长、厚膜外延及缺陷控制的发展方向进行了展望。

来源：2026年第4期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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