人工晶体学报

北大核心,CA,JST,WJCI,

国内刊号:11-2637/O7

国际刊号:1000-985X

人工晶体学报杂志2026年第4期:硒化锑空穴迁移率的第一性原理研究

发布日期:

作者:张冷, 黄佳健, 申辉, 吴孔平

单位:1.金陵科技学院电子信息工程学院,南京 211169;2.南京大学物理学院,固体微结构物理全国重点实验室,南京 210093

关键词:硒化锑,太阳电池,散射机制,空穴迁移率,第一性原理,密度泛函理论,玻尔兹曼输运理论,

基金:国家自然科学基金(61904071);2023年江苏省高校青蓝工程培养对象项目

硒化锑(Sb2Se3)以原料丰富、无毒、稳定等优势,成为一种前景广阔的薄膜光伏材料。尽管Sb2Se3光电转换效率已取得长足进步,但其背后的载流子输运机理,尤其是限制空穴迁移率的关键散射机制仍不清晰。针对此问题,本研究采用第一性原理密度泛函理论(DFT)结合玻尔兹曼输运理论,量化分析了声学形变势(ADP)散射、电离杂质(IMP)散射及极性光学声子(POP)散射对空穴迁移率的贡献,计算得到的室温空穴迁移率为42.8 cm2·V-1·s-1。研究发现,在105~650 K温度区间,极性光学声子散射是限制Sb2Se3空穴迁移率的主导机制;迁移率沿三个主要晶向(x, y, z)表现出明显的各向异性,y轴方向上迁移率最高,z轴方向上迁移率最低。同时发现:低载流子浓度下,空穴迁移率随着载流子浓度增加基本不变;高载流子浓度下,空穴迁移率随着载流子浓度增加而降低。该研究阐明了Sb2Se3空穴迁移率的影响因素,为其性能优化提供了一定理论依据。

来源:2026年第4期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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