人工晶体学报

作者：游志鹏, 任泽阳, 张金风, 郝跃, 张进成

单位：1.西安电子科技大学集成电路学部，宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室，西安 710071；2.西安电子科技大学芜湖研究院，芜湖 241002

关键词：金刚石,n型半导体,单元素掺杂,共掺杂,激活能,

基金：国家重点研发计划(2022YFB3608600);国家自然科学基金(62127812);国家自然科学基金(62374122);国家自然科学基金(62421005);国家自然科学基金(62404172);合肥综合性国家科学中心资助、中央高校基本科研业务费(XJSJ24054);合肥综合性国家科学中心资助、中央高校基本科研业务费(YJSJ24020);安徽省重点研发项目(2023a05020006)

金刚石是超宽禁带半导体的典型代表，理论上具有禁带宽度大、热导率极高、载流子迁移率高等优点，是高频、大功率、高温电子器件的理想材料。实现高效、高稳定的半导体掺杂是金刚石半导体电子器件应用的必然要求。目前，通过采用氢终端/硅终端等表面改性及硼掺杂等方法已经实现了较为优异的金刚石p型掺杂，并且p型器件也不断取得新的突破。但金刚石n型半导体掺杂却一直没有寻找到合适的掺杂剂或材料改性方法，仍然面临着掺杂效率低、激活能高、材料生长困难等问题。本文系统综述了金刚石采用单元素掺杂和多元素共掺杂方法实现n型半导体掺杂的国内外研究进展，并对各种掺杂方案的优势和缺点进行了分析，对金刚石n型掺杂的发展前景进行展望，希望能为解决金刚石n型半导体掺杂难题提供参考。

来源：2026年第3期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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