人工晶体学报

作者：张东炎, 林旺, 高守帅, 金超, 韩宝仪, 李欣, 仲继宇, 李维环, 刘宏伟

单位：1.天津三安光电有限公司，天津 300384；2.天津市半导体发光二极管芯片企业重点实验室，天津 300384；3.南开大学商学院，天津 300071；4.天津工业大学电子信息工程学院，天津 300387

关键词：InGaN,MOCVD,衬底斜切角,表面形貌,表面过饱和度,光致发光,

基金：国家重点研发计划(2022YFB3604601)

本文通过金属有机化学气相外延（MOCVD）方法，系统研究了c面GaN衬底斜切角对InGaN外延层形貌、铟掺入行为及光学性能的影响。研究结果表明，随着衬底斜切角增大，InGaN形貌由二维岛状结构逐渐转变为阶梯状结构，该转变主要由表面过饱和度降低驱动。二维岛向阶梯结构转变的临界斜切角随气相过饱和度的升高而增大，可通过降低生长温度或提高生长速率实现。此外，InN摩尔分数和光致发光强度均在临界斜切角附近达到最大值。本研究揭示了斜切角与生长条件共同调控InGaN形貌与性能的机制，为高质量InGaN基光电器件的制备提供了理论依据和实验指导。

来源：2026年第3期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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