人工晶体学报

作者：郭丁逸, 王国政, 柴羽佳, 张广印, 王蓟, 杨继凯, 郝子恒, 罗洋

单位：1.长春理工大学物理学院，长春 130022；2.微光夜视技术重点实验室，西安 710065

关键词：X射线闪烁屏,硫氧化钆,硅微通道,周期,亮度,分辨率,

基金：吉林省科技厅面上项目(20250102142JC)

硫氧化钆（GOS）闪烁晶体因对高能X射线的响应度高，在无损检测与工业探伤等领域占据着不可替代的地位。商用的GOS X射线闪烁屏通常是块状陶瓷结构，由于存在光的横向串扰问题，分辨率普遍不高（小于5 lp/mm）。本文利用光刻、电感耦合等离子体（ICP）刻蚀、光辅助电化学腐蚀等工艺制备了周期为6、10和25 μm的硅微通道阵列，并采用UV胶与GOS粉末混合填充的方法成功制备出了基于硅微通道的GOS X射线闪烁屏。搭建了X射线测试系统，测量了管电压对闪烁屏亮度的影响，通过MATLAB软件对刃边图像的边缘扩散函数（ESF）进行拟合，得到调制传递函数（MTF），进而计算出闪烁屏的空间分辨率。实验结果表明：闪烁屏的亮度随着管电压的提高而增加，周期较大的闪烁屏亮度越高，周期越小的闪烁屏分辨率越大，周期为6 μm时分辨率为18.1 lp/mm，周期为10 μm时分辨率为16.8 lp/mm，周期为25 μm时分辨率为12.0 lp/mm。

来源：2026年第2期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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