人工晶体学报

作者：姚志远, 阳禹辉, 左彪

单位：浙江理工大学化学与化工学院，浙江省高分子材料表界面科学重点实验室，杭州 310018

关键词：TCTA,薄膜,多晶型,晶体生长动力学,膜厚,活化能,

基金：国家自然科学基金(52103234);浙江省自然科学基金(LY23E030009);中央高校基本科研业务费专项资金(226-2025-00032);浙江大学高分子合成与功能构造教育部重点实验(2024MSF03)

4，4'，4''-三（咔唑-9-基）-三苯胺（TCTA）是光电器件中常见的有机半导体材料，其结晶行为对器件的光电特性至关重要。然而，研究人员目前对TCTA多晶型结构及其晶体生长动力学过程尚缺乏深入的认识。本研究利用偏光显微镜（POM）及原子力显微镜（AFM），系统研究了TCTA薄膜中多晶型结构的形成条件及晶体生长动力学。结果表明，TCTA薄膜中存在两种熔点差异显著的晶型结构，但当薄膜厚度小于80 nm时，仅观察到熔点较低的晶型Ⅰ。晶体生长动力学分析表明，低熔点晶型的晶体生长速率更快，活化能更低。本工作深化了对TCTA薄膜结晶行为的理解，为调控其微观结构及其均匀性，进而提升器件性能提供了重要依据。

来源：2026年第1期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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