人工晶体学报

作者：艾进才, 杨平平, 赵紫薇, 高忙忙

单位：1.宁夏龙源新能源有限公司，银川 750021；2.宁夏大学材料与新能源学院，银川 750021

关键词：直拉单晶硅,热屏结构,生长速度,固液界面,热应力,点缺陷,

基金：国家自然科学基金(52164047);中国科学院“西部之光”人才培养计划(XAB2022YW10);银川市创新联合体组建引导专项(2022CXLHT001)

单晶硅是制备半导体的关键材料之一，在降低成本的驱使下，大直径化和快速拉晶技术是直拉法制备单晶硅的发展趋势之一。本文提出了一种双热屏结构，分析了双热屏结构对单晶硅生长过程中的温度场和气体流场、固液界面、单晶硅生长速度、热应力的影响。结果表明，双热屏结构可以对固液界面附近氩气进行导流，消除热屏外侧的氩气涡流，增加晶体的散热，从而提高晶体的生长速率，最大生长速率提高了19.2%；同时，双热屏结构还可以改善固液界面波动，相较于单热屏结构，最大热应力降低了4.266 MPa。因此，双热屏结构具有较好的应用前景。

来源：2026年第1期

《人工晶体学报》期刊编辑部

查看人工晶体学报杂志2026年第1期