人工晶体学报

作者：王世武, 王鸿雁, 王惠, 聂奕, 张芳, 朱海永, 马爱珍, 高佳, 匡永飞, 张行愚

单位：1.山东大学信息科学与工程学院，青岛 266237；2.青岛海泰光电技术有限公司，青岛 266107；3.温州大学电气与电子工程学院，温州 325035

关键词：RTP晶体,电阻率,抗灰迹吸收,RTP电光调Q开关,消光比,激光损伤阈值,

基金：山东省重点研发计划(2021JMRH0202);山东省企业技术创新项目(2024537020000103)

本文采用顶部籽晶熔盐法结合动态温场技术，成功生长出大尺寸、高电阻率RTP晶体，并对RTP晶体的性能进行了研究。本研究中所生长的晶坯尺寸达到54 mm×68 mm×52 mm，质量达到265 g。晶坯内部质量均匀，结晶完好，电阻率集中在1.0×1012~3.4×1012 Ω·cm。1 064与532 nm激光照射晶体同一位置1 000 s后，抗灰迹吸收为125 ppm/cm。电子探针微区成分分析测试结果表明，电阻率高的RTP晶体原子摩尔百分比更接近化学计量比。电阻率为1.6×1012 Ω·cm的RTP晶体在直流电压3 200 V加压1 200 h后，无电流溢漏或击穿。在-40~70 ℃，RTP电光调Q开关均可正常运转且消光比大于20 dB@1 064 nm。RTP晶体的激光损伤阈值为1.78 GW/cm2@1 064 nm & 9.6 ns。这些研究结果为RTP晶体作为电光调Q开关的关键材料应用提供了重要依据。

来源：2025年第11期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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