人工晶体学报

作者：张恒, 刘从峰, 袁宁一, 孙士文

单位：1.常州大学材料科学与工程学院，常州 213164；2.江苏省光伏科学与工程协同创新中心，常州 213164；3.中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083；4.中科宏芯（常州）传感科技有限公司，常州 213164

关键词：碲锌镉,碲夹杂,镉夹杂,夹杂密度,电阻率,红外透射光谱,

本文探讨了碲锌镉（CdZnTe）晶体的夹杂缺陷、红外透射光谱特性和电阻率三者之间的相关性。采用垂直布里奇曼法生长碲锌镉单晶体，经切片、机械磨抛、化学机械抛光等工序获得双面抛光的晶片，对晶片的腐蚀形貌、夹杂缺陷、近红外透射光谱进行了检测分析，采用化学法在晶片上、下表面镀金电极并测试晶片的电阻率。研究结果表明，夹杂密度与电阻率之间具有相关性，且富碲和富镉晶片在I-V特性上表现出显著差异。在富碲晶片中，晶片的电阻率随碲夹杂密度的增大而升高；在富镉晶片中，当晶片电阻率大于109 Ω·cm时，晶片电阻率随镉夹杂密度的增大而升高。

来源：2025年第11期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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