人工晶体学报

作者：陈灿, 胡祎哲, 张智瑾, 潘建国, 潘尚可

单位：宁波大学材料科学与化学工程学院，宁波 315211

关键词：γ-CuI晶体,Zn离子掺杂,重结晶提纯,区域熔炼法,坩埚下降法,超快衰减时间,

基金：国家自然科学基金(12375180);国家自然科学基金(61775108)

本文采用重结晶法和区域熔炼法提纯γ-CuI原料，使用坩埚下降法生长出了不同Zn离子浓度掺杂的γ-CuI单晶，并对其晶体结构、光致发光、X射线激发发射光谱和荧光寿命进行了详细研究。XRD和SEM测试结果表明，所合成的样品为高纯的γ-CuI，Zn离子能掺入γ-CuI单晶中。光致发光光谱和X射线激发光谱结果表明，Zn离子掺杂后自由激子和Cu+空位的发射得到增强，深能级发射被抑制。在Zn离子掺杂浓度为5%时，Cu0.95I:Zn0.05晶体的荧光寿命为0.36 ns，明显优于γ-CuI的0.62 ns。

来源：2025年第9期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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