人工晶体学报

作者：杨季薇, 董玲, 谷东, 徐华蕊, 赵昀云, 杨涛, 李海平, 李杰, 朱归胜

单位：1.桂林电子科技大学材料科学与工程学院，电子信息材料与器件教育部工程研究中心，广西信息材料重点实验室，桂林 541000；2.广西北部湾大学石油与化工学院，钦州 535011

关键词：氧化铟锡薄膜,直流磁控溅射,红外隐身,厚度,光电性能,霍尔参数,

基金：国家自然科学基金(62364007);国家自然科学基金(U21A2065);广西科技计划(桂科AA21077018);广西科技计划(桂科AD23023013);广西科技计划(桂科AB23075218);桂林市科学研究与技术开发计划项目(20220120-1)

采用直流（DC）磁控溅射法，通过对透明导电薄膜氧化铟锡（ITO）进行结构调控，分析其中的载流子浓度、迁移率等变化，着重探究了薄膜的厚度对红外波段反射率的影响，诠释了薄膜厚度与光电性能之间的构效关系。通过设定特定的溅射功率、衬底温度、气氛控制ITO薄膜的薄膜厚度，得到了100~500 nm厚度的薄膜，实现了高（400）取向、高红外反射率、高可见光透过率的氧化铟锡薄膜的制备。构建的特殊膜层厚度，构成了协同的载流子浓度与迁移率，缓解了一部分漫反射的影响，在膜厚为400 nm时，平均可见光透过率为89.51%，实现了2.5~15 μm宽谱段97.37%的平均红外反射率。且所得薄膜品质因数高达815.19×10-4 Ω-1，显著优于已报道的透明导电薄膜体系，解决了可见光与红外兼容隐身的问题，为频谱兼容光学隐身材料及智能窗的制备提供了新的思路。

来源：2025年第9期

《人工晶体学报》期刊编辑部

查看人工晶体学报杂志2025年第9期