人工晶体学报

作者：李晓旭, 石蔡语, 沈磊, 曾光, 李晓茜, 陈宇畅, 卢红亮

单位：1.复旦大学微电子学院，上海 200433；2.国家集成电路创新中心，上海 201203

关键词：β-Ga2O3,纳米带,场效应晶体管,日盲紫外光电探测器,光电性能,

基金：国家自然科学基金(62027818);国家自然科学基金(11974320);上海市科技创新行动计划(23500790600)

β相氧化镓（β-Ga2O3）由于具有直接和超宽带隙（~4.9 eV）、高击穿电场（~9 MV/cm），以及优异的热稳定性和化学稳定性等优点，广泛应用于高温、高压、高频及日盲紫外光电探测器等领域。从β-Ga2O3单晶块体上机械剥离出β-Ga2O3纳米带作为沟道来探究新型β-Ga2O3器件结构不仅具有很大的灵活性，也将极大地降低成本。近年来，虽然β-Ga2O3纳米带场效应晶体管及日盲紫外光电探测器的研究已取得了很大进展，但器件的综合性能依然受限而不能满足商业化的需求，尤其是迁移率较低且响应度低。本文首先介绍了β-Ga2O3材料的基本性质；接着对β-Ga2O3纳米带场效应晶体管及日盲紫外光电探测器的研究现状进行总结与分析；最后指出β-Ga2O3基器件面对的困难与挑战，例如界面优化问题、器件可靠性系统研究缺乏等。

来源：2025年第8期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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