人工晶体学报

作者：窦瑛, 王英民, 高彦昭, 程红娟

单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所，新型半导体晶体材料技术重点实验室，天津 300220

关键词：CdSe单晶,添加Se,电阻率,红外透过率,夹杂相密度,电学性能,光学性能,

采用有籽晶的高压布里奇曼法生长出CdSe单晶，并对不同Se添加量的CdSe单晶进行了性能研究。结果表明，添加的Se填充了单晶中的VSe，降低了Cd/Se质量比，并未影响晶体的Raman特征峰。进而对添加Se的CdSe晶体的电学性能、光学性能和夹杂相进行了分析，数据表明，添加的Se填充VSe后，降低了CdSe单晶中的自由载流子浓度，提升了单晶电阻率，减弱了自由载流子对红外光子的吸收，同时添加Se增强了CdSe单晶结构的稳定性，降低了夹杂相密度，二者协同作用，优化了CdSe单晶的电学和光学性能，CdSe单晶呈现出高电阻率，达到108 Ω·cm以上，8~12 μm波段红外透过率提升到69%，为其在长波红外固体激光器等领域的应用提供了借鉴意义。

来源：2025年第8期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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