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国内刊号：11-2637/O7
国际刊号：1000-985X
发布日期:
作者：王淳, 王坤, 宋相满, 任林, 张浩
单位：1.东北大学，工业智能与系统优化国家级前沿科学中心，沈阳 110819；2.东北大学冶金学院，沈阳 110819
关键词：共掺杂β-Ga2O3,第一性原理,P型导电,电子结构,密度泛函理论,半导体,
基金：国家自然科学基金(52276102)
本文基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，研究了Mg-Al共掺杂、F-Zn共掺杂和N-Mg共掺杂β-Ga2O3三种体系的结构性质和电学性质，以期获得高性能共掺杂P型导电β-Ga2O3材料。结果表明，Mg-Al共掺杂和F-Zn共掺杂β-Ga2O3仍为直接带隙半导体材料，而N-Mg共掺杂β-Ga2O3为间接带隙半导体材料。三种共掺杂体系均具有较低的形成能。其中Mg-Al共掺杂β-Ga2O3体系形成能最低，表现出较好的热力学稳定性。该体系中，Mg-p和Al-p轨道推移价带顶向高能方向移动，并穿越费米能级，是三种掺杂体系中最有可能实现P型导电性质的材料。
来源：2025年第8期
《人工晶体学报》期刊编辑部
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