人工晶体学报

作者：刘振华, 刘胜威, 王一心, 单恒升

单位：1.浙江大学常州工业技术研究院，常州 213002；2.陕西科技大学材料科学与工程学院，西安 710021；3.陕西科技大学物理与信息科学学院，西安 710021

关键词：In0.26Ga0.74N/GaN多量子阱,电子阻挡层,阱垒界面质量,非辐射复合中心,

基金：远程物联网控制器系统开发(210230007)

本研究聚焦Al0.1Ga0.9N电子阻挡层对In0.26Ga0.74N/GaN多量子阱材料光学特性的影响。通过AFM表征，发现插入Al0.1Ga0.9N电子阻挡层的InGaN材料的表面粗糙度从94.42 nm显著减小到54.72 nm，降低了42.05%。HRXRD测试表明，材料的螺位错与刃位错密度分别下降了13.39%和45.53%，且阱垒界面的陡峭程度显著提升。PL谱分析结果表明，该材料表现出发光峰半高峰全宽变窄和发光强度增强的特征，同时观测到发光波长呈现一定程度的红移现象。研究结果发现，插入Al0.1Ga0.9N电子阻挡层能够有效降低In0.26Ga0.74N/GaN多量子阱材料的缺陷密度，有效降低非辐射复合效率，进而增强材料的发光性能。此研究为高效太阳能电池的制备提供了必备的实验基础。

来源：2025年第8期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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