国内刊号:11-2637/O7
国际刊号:1000-985X
发布日期:
作者:杨再洪, 周灿, 范柳燕, 张燕辉, 陈泽中, 陈平平
单位:1.上海理工大学材料与化学学院,上海 200093;2.中国科学院上海技术物理研究所红外科学与技术全国重点实验室,上海 200083
关键词:分子束外延,机器学习,反射高能电子衍射,Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,人工智能,
基金:国家自然科学基金(12027805);中国科学院专项(GJ0090406)
最近几年,人工智能在材料领域得到广泛应用,机器学习在分子束外延(MBE)技术中的应用引人关注。基于原位反射高能电子衍射(RHEED)及相关物性的智能识别和反馈的MBE技术,能够显著提升生长材料的质量和生长效率,有望实现薄膜的MBE智能外延。本综述聚焦机器学习MBE中的应用研究,首先介绍了MBE中常用的机器学习算法模型,阐述了机器学习在优化MBE生长条件中的应用,着重总结了不同材料体系(半导体薄膜和量子结构材料、氧化物材料和二维材料等)基于RHEED图像机器学习的研究进展,并就存在的问题和未来的发展策略进行了总结展望。
来源:2025年第6期
《人工晶体学报》期刊编辑部