人工晶体学报

作者：李晴雯, 钟敏

单位：1.渤海大学化学与材料工程学院，锦州 121013；2.辽宁省光电功能材料与检测重点实验室，锦州 121013

关键词：三碘化锑,半导体光电材料,声化学合成,升华,气相输运沉积,

基金：辽宁省教育厅基金(LJKZ1029)

二维金属卤化物近年来成为研究热点，其中三碘化锑（SbI3）因具有光学各向异性、较高的折射率、二次谐波等特性被用于辐射探测器和光电器件。但SbI3价格昂贵，限制了其大规模应用。本文以锑粉和碘粉为原料，首次采用声化学方法合成了SbI3，并研究了超声时间、反应溶剂、Sb物质的量及锑碘摩尔比对产物的影响，并以此粉体为原料制得SbI3晶体和薄膜。结果表明，当溶剂为甲醇，锑碘摩尔比n（Sb）∶n（I2）=2∶3.6（碘过量20%），超声时间为100 min时，得到纯相SbI3粉体。采用升华法在温度为220 ℃，反应时间为3 h时得到（006）高取向的SbI3晶体。采用气相输运沉积方法制备SbI3薄膜时，沉积距离对薄膜形貌有较大影响。沉积距离增大使薄膜致密性提高，但沉积区温度降低导致薄膜晶化变差，因此要选择合适的沉积距离。此处，沉积距离为17.5 cm时获得了致密均匀的SbI3薄膜。该声化学合成SbI3的方法简单高效，成本低，重现性好，并可拓展应用于AgI、CuI、BiI3和Cs3Bi2I9等金属碘化物的合成。

来源：2025年第6期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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