人工晶体学报

作者：霍晓青, 张胜男, 周金杰, 王英民, 程红娟, 孙启升

单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所,新型半导体晶体材料技术重点实验室,天津 300220

关键词：β-Ga2O3单晶,电阻率,透过率,Raman光谱,XRD半峰全宽,

超宽禁带半导体β-Ga2O3单晶以优异的耐高压性能和低成本的潜力,引起了研究者的广泛关注。本文采用导模法生长出了3~4英寸(1英寸=2.54 cm)Fe掺β-Ga2O3单晶,长度最大可达270 mm,一块晶坯可以获得多块大尺寸氧化镓单晶,有效降低了晶体生长成本。对生长晶体的电学、光学和高分辨X射线衍射半峰全宽等性能参数进行了测试分析,数据表明晶片电学、光学和XRD半峰全宽一致性佳,晶体质量优异。对系列Fe掺杂β-Ga2O3单晶进行了性能研究,分析了Fe元素对β-Ga2O3单晶质量、带隙、晶格振动的影响。研究发现,不同Fe掺杂β-Ga2O3单晶的结晶质量佳,Fe元素可使β-Ga2O3单晶的带隙变宽,同时Fe掺杂使β-Ga2O3单晶产生了轻微的拉伸应力。本文研究为衬底外延和器件验证提供数据支撑。

来源：2025年第3期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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