人工晶体学报

作者：陈俊宏, 胡鉴闻, 魏钟鸣

单位：中国科学院半导体研究所,半导体芯片物理与技术全国重点实验室,北京 100083

关键词：氧化镓,微纳米结构,光探测器,宽禁带半导体,

基金：国家自然科学基金(62125404)

氧化镓(Ga2O3)作为一种具有宽禁带(约4.9 eV)和特殊光电性能的半导体材料,近年来在紫外光探测器(UVPD)、光电传感器等领域得到了广泛关注。Ga2O3的微纳米结构,例如纳米线、纳米棒、纳米管和纳米片等一维或二维纳米结构,因具有优异的光电响应特性、快速的电子迁移率和高稳定性,成为提升探测器性能的关键。本文介绍了多种Ga2O3微纳米结构的合成方法,如水热法、电化学沉积法、气相沉积法等,分析了各种方法的优缺点,以及如何通过调节反应条件实现对Ga2O3微纳米结构形态和尺寸的精确控制。接着,探讨了这些微纳米结构在紫外探测器中的应用,尤其是在高灵敏度、高选择性和偏振光的光电探测器中表现出的潜力。

来源：2025年第3期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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