人工晶体学报

作者：查显弧, 万玉喜, 张道华

单位：深圳平湖实验室,深圳 518111

关键词：β-Ga2O3,p型导电,电子结构,受主能级,固溶,p-n结,

基金：深圳平湖实验室项目(224120)

β相氧化镓(β-Ga2O3)具有超宽带隙、高击穿电场和容易制备等优势,是功率器件的理想半导体材料。但由于β-Ga2O3价带顶能级位置低、能带色散关系平坦,其p型掺杂目前仍具有挑战性,限制了p-n结及双极性晶体管的开发。利用尺寸效应、缺陷调控、非平衡动力学及固溶提升价带顶能级等方案是目前实现β-Ga2O3 p型掺杂的主要策略。对于β-Ga2O3 p-n同质结和异质结,提高晶体质量、减少界面缺陷态是优化器件性能的关键问题。本文针对β-Ga2O3的p型导电问题,系统阐述了β-Ga2O3电子结构,实验表征及理论计算掺杂能级方法,p型掺杂困难原因,以及改进p型掺杂的突破性研究进展。最后简单介绍了β-Ga2O3 p-n同质结和异质结器件的相关工作。利用复合缺陷调控、非平衡动力学、固溶等方案,以及不同方案的协同实现体相β-Ga2O3的p型掺杂仍需要深入探索,p-n同质及异质结的器件性能需要进一步优化。

来源：2025年第2期

《人工晶体学报》期刊编辑部

查看人工晶体学报杂志2025年第2期