人工晶体学报

作者：黄东阳, 黄浩天, 潘明艳, 徐子骞, 贾宁, 齐红基

单位：1.杭州富加镓业科技有限公司,杭州 311421; ；2.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800

关键词：β-Ga2O3,垂直布里奇曼法,晶体生长,高结晶质量,宽禁带半导体,

基金：国家重点研发计划(2022YFB3605502)

本文采用自主设计的垂直布里奇曼(VB)炉,通过动态模拟与实验深度耦合迭代优化的方法,建立了生长炉模型,通过优化生长炉的温场得到最佳温场,并根据模拟最佳温场对实际温场进行优化改造,成功生长出直径3英寸(1英寸=2.54 cm)的氧化镓(β-Ga2O3)单晶。进一步加工得到最大尺寸为直径2.5英寸的(100)面β-Ga2O3晶圆,并对β-Ga2O3晶体的结晶质量和光学性能进行了表征测试。测试结果表明,β-Ga2O3晶体具有较高结晶质量,其紫外截止边为257.5 nm,对应光学带隙为4.78 eV,晶体的劳埃衍射斑点清晰、对称,摇摆曲线半峰全宽(FWHM)最小为39.6″。

来源：2025年第2期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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