人工晶体学报

作者：郭满意, 吴佳兴, 杨帆, 王超, 王艳杰, 迟耀丹, 杨小天

单位：1.吉林建筑大学寒地建筑综合节能教育部重点实验室,长春 130188; ；2.吉林建筑大学电气与计算机学院,长春 130188; ；3.吉林师范大学,四平 136099

关键词：ε-Ga2O3晶体,态密度,能带结构,导电特性,第一性原理,密度泛函理论,

基金：吉林省科技发展计划(20200201177JC);吉林省教育厅科学研究项目(JJKH20240362KJ);吉林省科技厅自然科学基金项目(YDZJ202201ZYTS430)

为了探究本征缺陷导电特性,本文采用第一性原理计算方法对ε-Ga2O3进行计算。首先计算ε-Ga2O3的晶格常数、能带间隙、态密度和能带结构,然后计算含有多种本征缺陷的ε-Ga2O3的态密度和能带结构,分析了它们的电学性质。计算结果表明:ε-Ga2O3为直接带隙半导体,禁带宽度为4.26 eV,光吸收系数峰值在80 nm左右,在450 nm处接近零。在本征缺陷中,不同点位Ga空位缺陷使ε-Ga2O3呈现出p型导电特性,不同点位O空位缺陷没有改变ε-Ga2O3的导电特性;O取代Ga之后,ε-Ga2O3呈现p型导电特性;Ga取代O之后,ε-Ga2O3呈现n型导电特性;引入O填隙的ε-Ga2O3的导电特性没有变化;Ga填隙时ε-Ga2O3呈现n型导电特性。

来源：2025年第2期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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