人工晶体学报

作者：邵双尧, 杨烁, 冯华钰, 贾志泰, 陶绪堂

单位：1.山东大学集成电路学院,济南 250101; ；2.山东大学晶体材料国家重点实验室,济南 250100

关键词：雪崩光电探测器,紫外探测,宽禁带半导体,氧化镓,雪崩增益,

基金：国家自然科学基金(62304118,51932004,11804191)

微弱紫外光的探测在导弹跟踪、火焰警告、安全通信、环境监测和其他关键应用中备受关注。雪崩光电探测器(APD)具有轻便、低功耗、高量子效率和单片集成等优点,是紫外探测领域的重要研究方向。近年来,宽禁带和超宽禁带半导体材料因其禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高和化学稳定性好等性能,被视为紫外APD设计的理想材料。从现有报道来看,相比于GaN和SiC材料,Ga2O3具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强、更高的巴利加优值和更短的吸收截止边等突出优点,是一类值得关注的新材料。Ga2O3基APD以超宽带隙、高击穿电场、可控增益、优异热稳定性等优势,具有高响应度和高内部增益等性能,正在成为该领域的热点。本文综述了Ga2O3基APD的研究进展,分别对APD的器件结构、性能、发展历程与研究改进等进行介绍。

来源：2025年第2期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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