国内刊号:11-2637/O7
国际刊号:1000-985X
发布日期:
作者:丁子舰, 颜世琪, 徐希凡, 辛倩
单位:山东大学集成电路学院,济南 250100
关键词:脉冲激光沉积,α相氧化镓,生长温度,氧分压,金属-半导体-金属,日盲光电探测器,
本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在m面蓝宝石衬底上外延生长了高质量亚稳态α相氧化镓(α-Ga2O3)薄膜,结合X射线衍射和扫描电子显微镜等表征手段,研究了不同生长温度和不同氧分压对薄膜形貌及结晶性的影响。基于优化条件下生长的异质外延α-Ga2O3薄膜,制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的日盲紫外光电探测器。由于薄膜较好的结晶质量和较少的缺陷,该探测器在254 nm日盲紫外光照射下表现出良好的光电响应,5 V偏压下具有10-6 A的光电流及10-10 A的暗电流,光暗电流比可达104,最大响应度达到36.7 A/W,最大外量子效率为1.79×104%,最大探测率为2.45×1014 Jones。
来源:2025年第2期
《人工晶体学报》期刊编辑部