人工晶体学报

作者：高嘉庆, 屈小勇, 吴翔, 郭永刚, 王永冈, 汪梁, 谭新, 杨鑫泽

单位：1.青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司,西安 710010; ；2.青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司,西宁 810000

关键词：p型TOPCon结构,低压化学气相沉积,钝化质量,隐开路电压,暗饱和电流密度,太阳能电池,

基金：国家电投黄河上游水电开发有限责任公司科研项目(KY-C-2023-GF06)

为深入研究p型TOPCon结构的制备工艺和钝化性能,本文通过实验研究了隧穿氧化层生长过程中氧气流量、氧化温度和氧化时间对氧化层质量的影响,以及在不同硼扩散温度下p-poly的钝化性能和方块电阻。实验结果表明,氧气流量达到15 slm(标准升每分钟)以上,p-poly的隐开路电压平均值达到730 mV,暗饱和电流密度低至3.5 fA/cm2。氧化温度和时间分别达到620 ℃和30 min时,p-poly的隐开路电压可提升至735 mV;随着氧化温度的提高或者氧化时间的延长,p-poly的隐开路电压趋于稳定。硼扩散温度为960 ℃时,p-poly的方块电阻保持在132 Ω/□,硅基体中的掺杂结深为0.25 μm,获得了良好的钝化性能。本文所确定的工艺参数可制备出具有良好钝化性能的p-poly结构,对未来p型TOPCon结构在高效晶硅电池上的产业化应用提供了一定的数据支撑。

来源：2025年第1期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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