人工晶体学报

作者：汪开强, 杨康, 靖正阳, 陈博文, 涂兵田, 王皓

单位：武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070

关键词：Zn1.1Ga1.8Ge0.1O4尖晶石,透明陶瓷,烧结路径,致密化活化能,晶粒生长活化能,光学透明性,

基金：国家重点研发计划(2023YFB3812000);国家自然科学基金(52272072);湖北隆中实验室自主创新研究项目(2022ZZ-13)

尖晶石型Zn1.1Ga1.8Ge0.1O4是优秀的介电和长余辉基体材料,透明陶瓷的制备有望扩大其应用领域。本文对Zn1.1Ga1.8Ge0.1O4陶瓷的无压烧结动力学进行研究,结果表明Zn1.1Ga1.8Ge0.1O4陶瓷烧结过程的致密化和晶粒生长均由O2-晶界扩散控制,其烧结中期的致密化活化能为(426±35) kJ/mol,烧结末期的晶粒生长活化能为(439±14) kJ/mol。通过将烧结工艺参数控制在“烧结窗口”中,获得了良好的无压烧结体显微结构。经过高温热等静压处理后得到Zn1.1Ga1.8Ge0.1O4透明陶瓷,其光学透过范围为0.3~9 μm,在2.5 μm处直线透过率达到81.2%。

来源：2024年第11期

《人工晶体学报》期刊编辑部

查看人工晶体学报杂志2024年第11期