人工晶体学报

作者：王文凯, 潘秀红, 胡雨青, 刘学超, 陈小红, 陈锟, 方婧红, 贺欢, 倪津崎

单位：1.上海理工大学材料与化学学院,上海 200093; ；2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 200050; ；3.安徽工业大学材料科学与工程学院,马鞍山 243002

关键词：铁电单晶,GaFeO3∶Mg,光学浮区法,饱和磁化强度,磁性转变温度,矫顽场,

基金：国家重点研发计划(2021YFA0716304);中国载人航天项目(YYMT1201-EXP02);上海市科技项目(22511100300, 23DZ2201500)

本文利用光学浮区法生长出了直径为7 mm的铁电单晶MgxGa1-xFeO3(x=0.02、0.05、0.07和0.10),研究了Mg2+对GaFeO3(GFO)晶体饱和磁化强度和磁性转变温度的作用。通过XRD测试了晶体的结构和物相,结果显示,所有制备的晶体样品对应标准晶体卡库GFO(PDF#76-1005)的衍射特征,无其他杂相出现。XRD精修结果表明,该晶体结构为正交结构,空间群为Pna21,晶格常数和晶胞体积随着Mg2+掺杂量的增加,呈现先增加后减小的趋势。通过综合物性测量系统研究了晶体的磁性能,结果表明,磁性转变温度和饱和磁化强度随着Mg2+掺杂量的增加,同样呈现先增加后减小的趋势。当Mg2+掺杂量x=0.07时,磁性转变温度和饱和磁化强度达到最大,分别为187.82 K、8.75 emu/g,达到了掺杂改性的目的。

来源：2024年第10期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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