人工晶体学报

作者：李阳, 曹昆, 介万奇

单位：1.西北工业大学材料学院,西安 710072; ；2.辐射探测材料与器件工信部重点实验室,西安 710072

关键词：CdZnTe,GaSb,外延生长,薄膜,物理气相沉积,热处理,半导体,

基金：国家重点研发计划(2022YFF0708100,2023YFF0716300);国家自然科学基金(52102009);陕西省自然科学基础研究计划(2022JQ-411)

衬底的表面质量对生长膜层的质量有重要影响,衬底表面的粗糙度、均匀性、附着物残留及氧化层均是其表面质量的评价标准。本文报道了一种热处理方法,通过近距离升华设备原位去除GaSb(001)衬底上的氧化层后用于制备CdZnTe外延膜。通过控制热处理的温度和时间,获得洁净且平整的较优衬底状态。利用原子力显微镜和X射线光电子能谱表征了热处理对GaSb衬底形貌和成分的影响,采用双晶X射线摇摆曲线对经过热处理后的GaSb衬底上生长的CdZnTe外延膜的结晶质量进行了评价。为了深入研究这种异质界面附近微观缺陷的性质和外延形成机制,还对CdZnTe/GaSb截面进行了TEM分析研究。GaSb衬底在600 ℃经过180 s热处理后,可以去除衬底表面大部分氧化物且相对平整,提高了CdZnTe外延膜的结晶质量,在双晶X射线摇摆曲线中的半峰全宽为94″,接近已报道的块体CdZnTe晶体的结晶质量。

来源：2024年第10期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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