人工晶体学报

作者：张翅腾飞, 章嵩, 龚若程, 杨军伟, 宋华平

单位：1.湖北隆中实验室,襄阳 441000; ；2.武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070; ；3.松山湖材料实验室,东莞 523808; ；4.东莞市中科汇珠半导体有限公司,东莞 523786

关键词：4H-SiC,微划痕,KCl溶液,成核理论,高指数晶面,表面能,

基金：湖北省自然科学基金(2023AFB1000);材料复合新技术国家重点实验室(武汉理工大学)开放基金(2024-KF-18);广东省自然科学基金-面上项目(2022A1515012628)

4H-SiC晶圆表面的微划痕会使外延层中产生大量缺陷,但其线宽低于光学表征技术的极限,无法以无损光学检测的方法获得微划痕在晶圆上的分布规律。本研究基于经典成核理论,利用微划痕上的高指数晶面,通过溶液干燥析晶的方法,使KCl晶体优先成核于高表面能的高指数晶面。实验结果表明:当KCl溶液的浓度为0.013 mol/L时,溶液蒸发后的KCl晶体嵌于微划痕的沟壑内,使微划痕可以间接地被光学方法检测。当KCl溶液的浓度大于0.013 mol/L时,KCl晶体会结晶于没有微划痕的区域,干扰对微划痕的表征。本方法制备的KCl晶体仅吸附成核于4H-SiC表面,不与4H-SiC发生化学反应,通过RCA清洗工艺即可完全去除表面的KCl晶体,不影响晶圆的后续加工工艺。

来源：2024年第10期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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