人工晶体学报

作者：郑权, 刘学超, 王浩, 朱新峰, 潘秀红, 陈锟, 邓伟杰, 汤美波, 徐浩, 吴鸿辉, 金敏

单位：1.上海大学微电子学院,上海 201800; ；2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海 200050; ；3.中国科学院大学,北京 100049; ；4.上海电机学院材料学院,上海 201306

关键词：InSe∶Al,布里奇曼法,力学性能,电学性能,第一性原理,晶体结构,

基金：国家重点研发计划(2021YFA0716304);上海市科技创新行动计划项目(22511100300,23DZ2201500);上海学术/技术研究负责人(23XD1421200);上海高校东方学者(TP2022122);载人空间站空间科学项目

硒化铟(InSe)是一种新型的窄禁带(1.3 eV)层状半导体,具有优异的塑性和电学性能,在新型电子和光电子器件中具有广泛应用前景。采用布里奇曼(Bridgman)法生长了未掺杂和铝掺杂的InSe晶体,通过能谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对制备材料的化学成分和表面形貌进行了表征。本文研究发现,铝掺杂可调节InSe晶体的塑性和光电性能。X射线衍射(XRD)分析表明晶体具有六方结构,结合拉曼光谱表征证实晶体结构为ε-InSe。纳米压痕测量表明,随着铝掺杂量的增加,InSe晶体的硬度和模量降低,材料的塑性提高。霍尔效应测量和光学吸收谱结果表明,铝掺杂可提升载流子浓度和禁带宽度。

来源：2024年第9期

《人工晶体学报》期刊编辑部

查看人工晶体学报杂志2024年第9期