人工晶体学报

作者：白琼宇, 王春浩

单位：1.河北地质大学光电技术研究所,石家庄 050031; ；2.河北省光电信息与地球探测技术重点实验室,石家庄 050031

关键词：荧光粉,Zn3Ga2Ge2O10∶Cr3+,In3+掺杂,远红光,阳离子替代,植物补光,

基金：河北省高校基本科研业务费资助(QN202202);河北地质大学博士科研启动基金(BQ2024065)

采用高温固相法制备了Cr3+掺杂的远红光荧光粉,并通过引入In3+对Zn3Ga2Ge2O10∶Cr3+发光特性进行了调控。通过XRD对Zn3(Ga1-xInx)2Ge2O10∶2%Cr3+(摩尔分数)的晶体结构进行了分析。利用室温荧光光谱和热释光光谱分析了Zn3(Ga1-xInx)2Ge2O10∶2%Cr3+的发光特性,其发射光谱由4T2(4F)→4A2和2E→4A2跃迁的705、721 nm两发光峰叠加而成。随着Zn3(Ga1-xInx)2Ge2O10∶2%Cr3+中In3+掺杂浓度增加,材料发射光谱呈现展宽的现象,这是Cr3+所处晶体场环境的改变导致了晶体场劈裂程度的变化。光谱展宽后荧光材料的发光特性与植物中光敏色素吸收谱更加匹配,因此其有望应用于植物照明领域。此外,随着In3+掺杂浓度增加,荧光材料表现出红色长余辉现象,并且余辉时间与In3+掺杂浓度有关。

来源：2024年第9期

《人工晶体学报》期刊编辑部

查看人工晶体学报杂志2024年第9期