人工晶体学报

作者：莫秋燕, 欧满琳, 张颂, 荆涛, 吴家隐

单位：1.凯里学院大数据工程学院,凯里 556011; ；2.凯里学院理学院,凯里 556011; ；3.广东开放大学(广东理工职业学院)工程技术学院,广州 510091

关键词：二维AlN,VI族元素,修饰,第一性原理,电子结构,磁性,

基金：凯里学院微纳与智能制造教育部工程研究中心重点研究方向项目(2024WZG09);黔东南州科技计划(〔2022〕08);广东省普通高校重点科研平台和科研项目(2023ZDZX1069)

采用密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了VI族元素(O、S、Se、Te)修饰对二维AlN电子性质的影响。计算结果表明,O修饰后,二维AlN体系的能带发生劈裂,从而转变为磁性材料;S、Se和Te修饰后,二维AlN电子态密度曲线自旋向上和自旋向下完全对称,形成了非磁性结构。从态密度图可以看出,费米能级附近的态密度主要由修饰原子的p态电子和N原子的p态电子贡献,导带底部逐渐向低能区移动,导致二维AlN的吸收波长阈值从紫外线区域向可见光移动。因此,修饰的二维AlN光催化效率提高,并有应用于可见光响应的光电子和自旋电子器件的可能。

来源：2024年第9期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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