人工晶体学报

作者：雷莎莎, 龚巧瑞, 赵呈春, 孙晓慧, 杭寅

单位：1.上海工程技术大学数理与统计学院,上海 201600; ；2.中国科学院上海光学精密机械研究所先进激光与光电功能材料部,上海 201800; ；3.中国科学院大学材料与光电研究中心,北京 100049

关键词：ZnGa2O4,宽禁带半导体,光电性能,制备方法,应用,

宽禁带半导体材料因独特的物理和化学特性,在光电器件等领域展现出巨大的潜力,受到了越来越多的研究和关注。镓酸锌(ZnGa2O4)作为一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、结构独特、热稳定性良好等优点,在日盲紫外光电探测、X射线探测等领域具有广阔的应用前景。本文从ZnGa2O4的基本结构特性出发,详细介绍了ZnGa2O4的禁带宽度、光电性能以及ZnGa2O4体块单晶和薄膜的制备方法。结合国内外学者近期的一些研究成果,概述了ZnGa2O4在多个领域的应用前景,特别是日盲紫外光电探测、忆阻器、X射线探测和功率器件等方面的研究进展。最后对ZnGa2O4材料的未来发展方向提出了展望,指出可进一步提升ZnGa2O4材料的质量和性能,以提升器件性能,满足更高级别的应用需求。

来源：2024年第8期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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