人工晶体学报

作者：杨涛, 陈彩明, 黄瑜佳, 吴少平, 徐华蕊, 汪坤喆, 朱归胜

单位：1.桂林电子科技大学材料科学与工程学院,电子信息材料与器件教育部工程研究中心,广西信息材料重点实验室,桂林 541004; ；2.广西中沛光电科技有限公司,来宾 546100

关键词：ITO薄膜,磁控溅射,AgNWs,导电网络,复合薄膜,光电性能,溅射温度,

基金：国家自然科学基金(62364007,U21A2065);广西科技计划(桂科AA21077018,桂科AD23023013,桂科AB23075218);桂林市科学研究与技术开发计划(20220120-1);电子信息材料与器件教育部工程研究中心重点基金(EIMD-AA202001)

随着显示面板向超大尺寸、超高清、可触控的方向发展,单一的氧化铟锡(ITO)薄膜难以满足显示器件越来越高的光电性能要求,因此复合导电薄膜得以发展。本文制备了以二维银纳米线(AgNWs)导电网络嵌入ITO薄膜形成的ITO(222)/AgNWs/ITO(400)复合薄膜结构,系统研究了AgNWs添加量和上层ITO薄膜溅射温度对复合薄膜结构与光电性能的影响,AgNWs金属导电网络不仅提升了薄膜的电学性能,还保持了优良的光学性能。结果表明,在旋涂600 μL的AgNWs分散液、上层ITO薄膜的溅射温度为175 ℃时,制备的复合ITO薄膜方阻为7.13 Ω/□,在550 nm处透过率为91.52%,且品质因数为57.82×10-3 Ω-1,实现了超低电阻率和高可见光透过率复合ITO薄膜的制备。

来源：2024年第7期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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