人工晶体学报

作者：李丽华, 周龙杰, 刘硕, 王航, 黄金亮

单位：河南科技大学材料科学与工程学院,洛阳 471023

关键词：第一性原理,钙钛矿材料,SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面,电子结构,光学性质,界面态,

基金：高端外国专家项目(GDW2017410125)

通过基于密度泛函理论的第一性原理对SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面的电子结构及光学性质进行了研究。FAPbBrI2是带隙值为1.58 eV的直接带隙半导体材料,通过构建SnO2(110)和FAPbBrI2(001)的界面模型,发现其晶格失配率为4.28%,界面结合能为-0.116 eV/Å2,说明此界面结构可以稳定存在。通过态密度(DOS)分析SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面的电子结构,发现了主要由界面处O 2p、I 5p、Br 4p、Pb 6p轨道电子杂化形成的界面态。差分电荷密度及Bader电荷分析结果说明在界面处存在明显的电荷转移,这促进了界面处原子之间的成键,提高了界面稳定性。同时,有效的电荷分离也使SnO2(110)/FAPbBrI2(001)界面的光吸收系数相比于SnO2(110)表面和FAPbBrI2(001)表面有了明显提升。

来源：2024年第7期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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