人工晶体学报

作者：程佳辉, 杨磊, 王劲楠, 龚春生, 张泽盛, 简基康

单位：1.广东工业大学物理与光电工程学院,广州 510006;；2.北京晶格领域半导体有限公司,北京 101300

关键词：P型碳化硅,腐蚀,位错,重掺杂,腐蚀速率,活化能,

基金：广东省自然科学基金面上项目(2022A1515012628);北京市科技计划项目(Z231100006023015)

本文采用熔融KOH刻蚀方法详细研究了液相法生长的重掺杂P型6H-SiC晶体中的位错情况,探究了时间、温度变化对液相法生长的重掺杂P型6H-SiC晶片表面刻蚀的影响。当提高腐蚀时间或腐蚀温度时,晶片表面的腐蚀坑尺寸均表现出不同程度的增加,过高的温度及长时间刻蚀均导致过腐蚀现象的发生。根据不同腐蚀条件下腐蚀坑的形貌与分布,确定出刻蚀重掺杂P型6H-SiC晶片的最佳工艺参数。利用晶片在不同温度下的腐蚀速率变化关系及阿伦尼乌斯公式计算出晶体的反应活化能为10.59 kcal/mol。最后,对穿透型螺位错(TSD)和穿透型刃位错(TED)的形貌、尺寸和内部结构进行了详细的表征和分析,结果表明P型6H-SiC晶体中腐蚀坑的倾角与腐蚀时间无关。

来源：2024年第5期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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