人工晶体学报

作者：代同光, 谭新, 宋志成, 郭永刚, 袁雅静, 倪玉凤, 汪梁

单位：青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司,西安 710100

关键词：TOPCon太阳电池,Poly-Si绕镀层,低压化学气相沉积,BSG,PSG,腐蚀速率,

目前隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池制造技术越来越成熟,所耗成本不断降低。行业内普遍采用低压化学气相沉积(LPCVD)方式进行双面沉积或单面沉积。单面沉积存在Poly-Si绕镀问题,严重影响电池片转化效率和外观质量,同时正面绕镀层去除难度较大,在用碱溶液去除绕镀层的同时,存在绕镀层去除不彻底或者非绕镀区域P+层被腐蚀的风险,导致P+发射极受损,严重影响电池片外观质量与性能。双面沉积可避免上述问题,但产能减少一半,制造成本增加。本文对单面沉积Poly-Si工艺及绕镀层去除工艺进行研究,在TOPCon电池正面及背面制作了一层合适厚度的氧化层掩膜,搭配合适的清洗工艺、去绕镀清洗工艺,既可有效地去除P+层绕镀的Poly-Si,也可很好地保护正面P+层及背面掺杂Poly-Si层不受破坏,同时可大幅提升产能。

来源：2024年第5期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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