人工晶体学报

作者：徐玉琦, 李晴雯, 钟敏

单位：1.渤海大学化学与材料工程学院,锦州 121013;；2.辽宁省光电功能材料与检测重点实验室,锦州 121013

关键词：碘氧化铋,光电材料,化学气相沉积,半导体,

基金：辽宁省教育厅基金(LJKZ1029)

碘氧化铋(BiOI)由于低毒性、对点缺陷的耐受性和较强的吸光能力而应用在光催化、光伏和光电探测器领域。本文采用化学气相沉积(CVD)方法,以BiI3粉末作为蒸发源,O2/Ar作为反应气体,在钠钙玻璃基底上沉积BiOI薄膜,并通过研究蒸发源温度和沉积时间对薄膜物相和形貌的影响,分析了BiOI薄膜的生长机理。结果表明CVD方法制备的BiOI薄膜属于四方晶系,具有高c轴取向的特点。c轴取向的薄膜平行于基底生长,其结晶性、透过率及缺陷性能等都与蒸发温度和沉积时间密切相关。当蒸发温度为370 ℃、沉积时间为20 min时,BiOI薄膜的晶化最好,透过率最低,缺陷最少。

来源：2024年第5期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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