人工晶体学报

作者：孙兴汉, 李纪虎, 张伟, 曾群锋, 张俊锋

单位：1.中电建(西安)港航船舶科技有限公司,西安 710100; ；2.西安交通大学现代设计及转子轴承系统教育部重点实验室,西安 710049; ；3.上海船舶设备研究所,上海 200031

关键词：碳化硅,化学机械抛光,材料去除,抛光压力,抛光液,抛光垫,

基金：陕西省自然科学基金(2022JM-251)

化学机械抛光已经成为半导体制造中关键的工艺步骤之一,该技术是目前实现碳化硅晶片超精密加工的一种常用且有效的方法,可用于加工晶片表面,以获得高材料去除率、高表面质量和高表面平整性的晶片。然而,在碳化硅晶片化学机械抛光中,晶片表面材料去除非均匀性一直是一个具有挑战性的问题,减小晶片表面材料去除非均匀性对确保半导体器件的高性能和稳定性至关重要。本文介绍了碳化硅材料的性质及应用与化学机械抛光工艺,研究了不同碳化硅化学机械抛光技术的材料去除机理、不同化学机械抛光技术的发展状况和性能及优缺点,综述了碳化硅晶片化学机械抛光中材料去除非均匀性影响因素,如:抛光压力、抛光液(磨粒)和转速等因素,最后对未来碳化硅化学机械抛光中材料去除非均匀性研究做出了展望。

来源：2024年第4期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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