人工晶体学报

作者：陈哲明, 丁雨憧, 邹少红, 龙勇, 石自彬, 马晋毅

单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所,重庆 400060

关键词：硅基钽酸锂,低温直接键合,等离子活化,兆声清洗,预键合,键合加固,声表面波滤波器,

基金：科工局项目(JPPT-XX)

5G移动通信的发展对声表面波滤波器提出了高频、小型化、集成化的要求。相较于传统压电体单晶材料,采用硅基压电单晶薄膜材料制备的声表面波滤波器具有高频、低插入损耗、高温稳定性等优势,是高性能声表面波器件发展的核心基础材料。Smart-CutTM是制备硅基压电单晶薄膜材料的主要方法,键合工艺是其中的核心工序,键合质量决定了硅基压电单晶薄膜晶圆材料的质量,并影响器件性能。本文通过低温直接键合工艺,对等离子活化、兆声清洗、预键合、键合加固四道工序展开优化,最终实现了键合强度高达1.84 J/m2、键合面积超过99.9%的高质量硅基钽酸锂异质晶圆键合。

来源：2024年第4期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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