人工晶体学报

作者：鲍爱达, 马永强, 郭鑫

单位：1.中北大学电子测试技术国家重点实验室,太原 030051; ；2.中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原 030051

关键词：第一性原理,密度泛函理论,GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构,声子色散谱,载流子迁移率,

基金：国家自然科学基金(62204232)

本文设计了一种GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构(vdWH),并用第一性原理计算系统地分析了该异质结构的几何、电子、输运性质。通过结合能、声子谱、从头算分子动力学(AIMD)模拟验证了所构建GaSe/ZnS范德瓦耳斯异质结构的稳定性。详细计算了GaSe/ZnS vdWH界面性质中的平面平均电子密度差和平均静电势。结果表明,GaSe/ZnS vdWH是一种直接带隙为2.19 eV,载流子迁移率较高的异质结构。其中,沿x方向的电子迁移率可达1 394.63 cm2·V-1·s-1,而沿y方向的电子迁移率可达1 913.18 cm2·V-1·s-1,性能优异,有望应用于电子纳米器件。

来源：2024年第4期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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