人工晶体学报

作者：张煜晨, 李三兵, 许京军, 张国权

单位：南开大学物理科学学院&泰达应用物理研究院,弱光非线性光子学教育部重点实验室,天津 300071

关键词：铌酸锂,导电畴壁,p-n结,薄膜,铁电,纳米光电子学,

基金：国家重点研发计划专项(2022YFA1404604);国家自然科学基金重点项目(12134007);天津市市科技计划重点项目(21JCZDJC00150);高等学校学科创新引智计划(111计划)(B23045)

铌酸锂(LiNbO3,LN)是一种多功能的单轴铁电材料,广泛应用于光学调制器、光学频率梳、光波导等领域。导电畴壁(DW)作为镶嵌在绝缘材料中纳米尺度的导电通道,在非易失性存储器、逻辑门、晶体管等领域展现出重要的应用前景,促进了铌酸锂在纳米光电子学领域的应用。绝缘体上铌酸锂薄膜(LNOI)畴壁p-n结的实现有望进一步促进铌酸锂基光电一体化芯片的发展进程。本文简要回顾了铌酸锂导电畴壁的研究进展,介绍了畴壁的制备、导电机制、导电类型和畴壁的应用,重点介绍了铌酸锂畴壁p-n结的研究,进一步结合应用热点概述了铌酸锂畴壁光电子器件开发进程中的关键问题、机遇和挑战。

来源：2024年第3期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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