人工晶体学报

作者：顾小英, 赵青松, 牛晓东, 狄聚青, 张家瑛, 肖溢, 罗恺

单位：1.安徽光智科技有限公司,滁州 239000; ；2.广东先导稀材股份有限公司,清远 511517

关键词：锗单晶,探测器,迁移率,载流子浓度,位错密度,

基金：国家重点研发计划(2021YFC2902805);2022年核能开发科研项目(HNKF202224(28))

13N超高纯锗单晶是制作超高纯锗探测器的核心材料。本文通过还原法获得还原锗锭,再由水平区熔法提纯获得12N高纯锗多晶,最后由直拉法生长得到13N超高纯锗单晶。通过低温霍尔测试、位错密度检测、深能级瞬态谱(DLTS)测试对13N超高纯锗单晶性能进行分析。低温霍尔测试结果显示,晶体头部截面平均迁移率为4.515×104 cm2·V-1·s-1,载流子浓度为1.176×1010 cm-3,导电类型为p型,位错密度为2 256 cm-2;尾部截面平均迁移率为4.620×104 cm2·V-1·s-1,载流子浓度为1.007×1010 cm-3,导电类型为p型,位错密度为2 589 cm-2。晶体深能级杂质浓度为1.843×109 cm-3。以上结果表明该晶体是13N超高纯锗单晶。

来源：2024年第3期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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