人工晶体学报

作者：刘京明, 杨俊, 赵有文, 杨成奥, 蒋洞微, 牛智川

单位：1.中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京 100083; ；2.光电子材料与器件重点实验室(中国科学院),北京 100083; ；3.中国科学院大学,北京 100049; ；4.中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京 100049

关键词：锑化镓,化合物半导体,锑化物,晶体,红外光电器件,

基金：国家自然科学基金(62374161)

近年来,锑化物红外技术发展迅速,成为半导体技术的重要发展方向之一。锑化镓(GaSb)作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,凭借优异的性能成为锑化物红外光电器件的关键衬底材料。随着锑化物红外技术逐步成熟和应用逐渐开展,人们对GaSb单晶片的需求日益剧增的同时也对其质量提出更高的要求。GaSb单晶片质量直接影响着外延材料和器件性能,这就要求GaSb单晶片具有大尺寸、更低的缺陷密度、更好的表面质量和一致性。本文就GaSb晶体材料的性质、制备方法、国内外机构的研究进展及其应用情况进行了综述,并对其发展前景和趋势进行了展望。

来源：2024年第1期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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