人工晶体学报

作者：俞瑞仙, 王国栋, 王守志, 曹文豪, 胡小波, 徐现刚, 张雷

单位：1.山东大学深圳研究院,深圳 518000; ；2.山东大学新一代半导体材料研究院,晶体材料国家重点实验室,济南 250100

关键词：AlN晶体,多晶颗粒料,孔隙率,VR-PVT,温场,杂质,

基金：深圳市科技计划(JCYJ20210324141607019);山东省自然科学基金(ZR2022QF044)

本文通过对氮化铝(AlN)粉末进行烧结,制备了AlN晶体生长用的多晶颗粒料,测试发现,与粉末原料相比,多晶颗粒料的杂质显著降低。利用数值模拟软件研究了不同原料孔隙率对晶体生长的影响,分析了相同晶体生长工艺条件下原料内部温场的分布情况。使用不同颗粒度的原料进行了AlN晶体生长,发现最适合AlN晶体生长的温度梯度和原料颗粒度。最后用颗粒度为1~3 mm的多晶颗粒料进行晶体生长,生长出直径为1英寸、厚度为15 mm的AlN晶体。对晶体进行切割、研磨、抛光,得到1英寸AlN晶片。采用高分辨率X射线衍射(HRXRD)和拉曼光谱对晶片进行表征。结果发现HRXRD摇摆曲线半峰全宽(FWHM)为154.66″,E2(high)声子模的峰位置和FWHM分别为656.7和4.3 cm-1,表明该AlN晶体结晶质量良好。

来源：2024年第1期

《人工晶体学报》期刊编辑部

查看人工晶体学报杂志2024年第1期