人工晶体学报

作者：宿世超, 赵晓霞, 田宏波, 王伟, 宗军

单位：1.国家电投集团新能源科技有限公司,南昌 330096; ；2.国家电投集团科学技术研究院有限公司,北京 102209

关键词：HJT太阳电池,硼掺杂非晶硅发射极,暗电导率,掺杂浓度,梯度掺杂,

基金：北京市科技计划课题(Z201100004520003)

晶硅/非晶硅异质结(HJT)太阳电池由于具有高开压、高转换效率和低温度系数等优点而备受关注,其中硼掺杂p型非晶硅(p-a-Si∶H)发射极是高转换效率电池中不可忽视的重要部分,改变其硼掺杂浓度,可以调节p-layer薄膜的电学特性,从而直接影响电池转换效率。本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备制备HJT太阳电池,通过改变B2H6的掺杂浓度,对电池中p-a-Si∶H层进行优化,使HJT电池获得0.75%的相对效率提升。进一步地,将发射极设置为梯度掺杂的双层结构,经过优化,少子寿命(@Δn=5×1015 cm-3)和隐开路电压(@1-Sun)分别提升400 μs和3 mV,最终具有梯度掺杂发射极的电池其平均效率相对提升2.03%,主要表现为FF和Voc的明显增加,实现了高效HJT电池p型发射极的工艺优化。

来源：2024年第1期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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