人工晶体学报

北大核心,CA,JST,WJCI,

国内刊号:11-2637/O7

国际刊号:1000-985X

人工晶体学报杂志2023年第12期:Gd3(Al,Ga)5O12∶Ce晶体生长与闪烁性能研究

发布日期:

作者:王海丽, 李辉, 周南浩, 石爽爽, 苏健, 张微, 陈建荣, 黄存新

单位:1.北京中材人工晶体研究院有限公司,北京 100018;;2.中材人工晶体研究院有限公司,北京 100018

关键词:GAGG:Ce,闪烁晶体,高温固相反应法,提拉法,闪烁性能,

基金:国家重点研发计划(2017YFB0310500)

掺铈钆铝镓石榴石(Gd3(Al,Ga)5O12∶Ce,简称GAGG∶Ce)闪烁晶体是近年来发现的一种新型稀土闪烁晶体,具有光输出高、能量分辨率高、衰减时间短、无自辐射和不潮解等优点,在核医学成像、安检和环境监测等领域具有广阔的应用前景。本文报道了GAGG∶Ce晶体的提拉法生长与闪烁性能表征。利用高温固相反应法合成GAGG∶Ce原料,采用XRD对合成的原料进行了物相分析,结果表明,在1 500 ℃下煅烧12 h合成的多晶料为纯GAGG相。利用提拉法生长出尺寸ϕ50 mm×90 mm的GAGG∶Ce晶体,测试了其透过光谱、X射线激发发射光谱和脉冲高度谱,结果表明,7 mm厚样品550 nm的透过率为81.5%,晶体X射线激发发射峰中心波长位于550 nm,晶体的光输出为59 000 photons/MeV,能量分辨率为6.2%@662 keV,晶体衰减时间快分量为149 ns,慢分量为748 ns。

来源:2023年第12期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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