人工晶体学报

作者：高崇, 韦金汕, 欧阳政, 何敬晖, 王增辉, 卜予哲, 赛青林, 赵鹏

单位：1.北京中材人工晶体研究院有限公司,北京 100018;；2.中材人工晶体研究院有限公司,北京 100018;；3.华南师范大学半导体科学与技术学院,广州 510631;；4.杭州光学精密机械研究所,杭州 311421;；5.中材高新材料股份有限公司,北京 100102;；6.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800;；7.中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京 100049

关键词：氧化镓单晶,导模法,缺陷,腐蚀,腐蚀坑形貌,单晶生长,

基金：国家重点研发计划(2022YFB3605500);北京市科技新星计划(20230484381)

氧化镓晶体材料由于其优异的性能以及可以用熔体法生长的优势,在功率器件、光电领域有着巨大的潜力。近年来,国内外众多专家也随之开展对氧化镓单晶材料的研究工作,高质量低缺陷的氧化镓单晶材料对后续的外延、器件的制备极其重要。目前,国际上主流的生长方法是导模法,导模法具有生长周期短、尺寸大及生长稳定等优点,然而在晶体缺陷控制方面还有很大的进步空间。本文围绕氧化镓单晶的腐蚀坑形貌,对导模法生长的氧化镓单晶进行加工制样,进行了不同酸碱条件下的腐蚀实验。详细介绍了观察到的不同腐蚀坑形貌,分析了晶体缺陷对腐蚀坑形貌的影响,对今后氧化镓单晶生长机理和晶体缺陷的研究具有重要意义。

来源：2023年第12期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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