人工晶体学报

作者：周振翔, 陈宁, 李丹, 石爽爽, 倪代秦, 陈建荣, 黄存新, 李荣臻, 魏华阳

单位：1.北京中材人工晶体研究院有限公司,北京 100018;；2.中材人工晶体研究院有限公司,北京 100018;；3.宁波大学物理科学与技术学院,高压物理科学研究院,宁波 315211;；4.中材人工晶体研究院(山东)有限公司,济南 250200

关键词：氮化铝,物理气相传输法,半峰全宽,杂质,缺陷,

基金：国家重点研发计划(2022YFB3605300)

采用物理气相传输(PVT)法通过同质外延生长获得14 mm×12 mm的AlN单晶样品。对样品进行切割、研磨、化学机械抛光处理后,采用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、光致发光光谱仪对样品进行测试表征。拉曼测试结果表明,晶体中心区域的拉曼光谱E2(high)声子模的半峰全宽为3.3 cm-1,边缘区域E2(high)声子模的半峰全宽为4.3 cm-1,晶体呈现较高的结晶质量。XRD摇摆曲线表征结果显示,外延生长后的晶体中心和边缘区域的摇摆曲线半峰全宽增大至100″和205″,表明晶体内存在缺陷。XPS测试结果表明,晶体内存在C、O、Si杂质元素,杂质的原子数分数分别为0.74%、1.43%、2.14%,晶体内发现以氧杂质为主的Al—O、N—Al—O等特征峰。光致发光光谱测试结果显示,晶体内存在VAl-ON复合缺陷和VAl点缺陷。

来源：2023年第12期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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