人工晶体学报

作者：潘乘风, 时安琪, 孙大中, 李沙沙, 王冰, 牛相宏

单位：1.南京邮电大学理学院,南京 210023; ；2.南京邮电大学材料科学与工程学院,南京 210023; ；3.河南大学物理与电子学院,开封 475004

关键词：密度泛函理论,MoS2,电子结构,范德瓦耳斯异质结,肖特基势垒,光吸收,

基金：国家自然科学基金(12104130,12047517,12104234);江苏省自然科学基金(BK20210578);江苏高等学校自然科学基础(20KJB140004);南京邮电大学自然科学基金(NY221102,NY220096);江苏省研究生研究与实践创新计划(KYCX22_0901,KYCX22_0991)

利用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了不同层数MoS2和VS2堆垛形成的范德瓦耳斯异质结的电子结构和光学性能。通过从头算分子动力学验证了两种异质结在室温下的稳定性。此外,两种异质结均显示p型肖特基接触,但相较于单层MoS2构成的异质结,在双层MoS2和VS2堆垛形成的异质结中,势垒高度从0.36 eV显著降低到0.08 eV,有效地形成了低接触电阻,有助于降低载流子输运损失的能量。光吸收光谱的计算表明,双层MoS2构成的异质结具有更高的吸收峰值。研究成果对基于MoS2的异质结设计以及在高性能光电器件方面的应用提供了理论依据。

来源：2023年第11期

《人工晶体学报》期刊编辑部

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